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HLAS-WB型微波暗室

  • 發(fā)表時(shí)間:2022-12-26
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電波暗室簡(jiǎn)述:

微波暗室

      暗室主要分為半電波暗室及全電波暗室兩大類,其主要區(qū)別是半電波暗室是模擬的地面開(kāi)闊場(chǎng),而全電波暗室是模擬空間自由場(chǎng)。電磁屏蔽半電波暗室(簡(jiǎn)稱EMC暗室)常用來(lái)替代室外開(kāi)闊場(chǎng)地測(cè)試各種電氣、電子設(shè)備的電磁干擾特性(EMI)和電磁敏感度特性(EMS),是進(jìn)行電磁兼容認(rèn)證檢測(cè)的重要場(chǎng)地之一。室外場(chǎng)地易受周圍環(huán)境電磁噪聲的干擾和氣候條件的影響,所以常用室內(nèi)屏蔽室來(lái)替代。
二、性能指標(biāo):


      嚴(yán)格執(zhí)行美國(guó)FCC、ANCI C63.6—1992、IEC、CISPR及國(guó)軍標(biāo)GJB152A-97、GJB2926-97標(biāo)準(zhǔn)。

磁場(chǎng)

     14KHz ≥ 90dB
     100KHz≥ 100dB
     200KHz ≥ 110dB
平面波
    50MHz-1GHz ≥ 110dB
微波
    1GHz-10GHz ≥ 100dB
    10GHz-18GHz ≥ 100dB
三、項(xiàng)目場(chǎng)地及范圍:
    1、電磁兼容的各個(gè)測(cè)試項(xiàng)目都要求有特定的測(cè)試場(chǎng)地,其中以輻射發(fā)射和輻射抗擾度測(cè)試對(duì)場(chǎng)地的要求.為嚴(yán)格。
    2、開(kāi)闊試驗(yàn)場(chǎng)是重要的電磁兼容測(cè)試場(chǎng)地。
    3、模擬開(kāi)闊試驗(yàn)場(chǎng)的電磁屏蔽半電波暗室成了應(yīng)用較普遍的EMC測(cè)試場(chǎng)地。嚴(yán)格執(zhí)行美國(guó)FCC、ANCI C63.6—1992、IEC、CISPR及國(guó)軍標(biāo)GJB152A-97、GJB2926-97標(biāo)準(zhǔn)。
    4、暗室和控制室要各自采用獨(dú)立的供電系統(tǒng),使用不同相的電源。
四、EMC暗室的性能指標(biāo)及結(jié)構(gòu):
    1、EMC暗室的主要性能指標(biāo)采用歸一化場(chǎng)地衰減(NSA)和測(cè)試面空間場(chǎng)均勻性來(lái)衡量。
    2、EMC暗室結(jié)構(gòu)通常由RF屏蔽室、吸波材料、電源、天線、轉(zhuǎn)臺(tái)及CCTV監(jiān)控等幾部分構(gòu)成。
    3、其它設(shè)備:屏蔽門、通風(fēng)波導(dǎo)窗、照明燈、電源箱以及消防系統(tǒng)和報(bào)警探頭等。


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